本發(fā)明涉及一種材料的表面加工技術(shù),尤其涉及一種互不固溶Cu-C過飽和固溶體的制備方法。該
復(fù)合材料基體通過
粉末冶金法制的,然后利用強(qiáng)流脈沖電子束對(duì)材料表層進(jìn)行輻照處理,制備具有銅-碳過飽和固溶體的復(fù)合材料。掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡觀察顯示:HCPEB輻照技術(shù)誘發(fā)各種晶體缺陷和超細(xì)晶結(jié)構(gòu)為Cu、C原子之間擴(kuò)散提供通道,X射線分析能譜顯示(111)Cu峰向低角區(qū)偏移,C的衍射峰下降,可知成功地使部分C原子固溶到Cu晶格中,經(jīng)計(jì)算固溶度最高達(dá)2.24%。
聲明:
“互不固溶銅-碳過飽和固溶體的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)