本發(fā)明涉及一種電子材料用高純鉭靶材的制備方法,屬于
粉末冶金和半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域,所述制備方法是將高純鉭塊體首先進(jìn)行粉碎,再球磨至粒度為5?150μm的鉭粉;將鉭粉混料后裝模,振實(shí)壓緊;然后將模具放入高溫?zé)釅籂t,在1500?1800℃進(jìn)行熱壓;燒結(jié)結(jié)束后冷卻至室溫出爐、脫模,得到高純鉭靶材的坯體,密度為11.3?14.5g/cm3。按照磁控濺射設(shè)備要求,將坯體進(jìn)行切割加工,并按照用戶要求將加工后的坯體與相應(yīng)的背板焊接,得到高純鉭靶材。采用本發(fā)明制備的高純鉭靶材,可顯著降低傳統(tǒng)鑄造法制備靶材的技術(shù)難度,工藝的可控性大大提高,有助于后期材料類鍍膜性能的提高。
聲明:
“電子材料用高純鉭靶材的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)