本發(fā)明公開一種用于制造太陽能級硅的生產(chǎn)工藝,步驟如下:選擇純度在98~99.5%以上的冶金級金屬硅,硼元素含量<50ppm,磷元素含量<100ppm;高溫液態(tài)萃取硅液中的硼、磷;硅液凝固;破碎研磨;表面浸蝕;水洗干燥;高溫等離子除硼;高溫真空精煉去磷、鋁和鈣;單向凝固;后處理。本發(fā)明獲得的
多晶硅錠,硼<0.06ppm,磷<0.01ppm,總金屬含量<0.01ppm,電阻率>1.0Ω·cm,直接切片用于制造
太陽能電池片,可以獲得15%以上的光電轉(zhuǎn)換效率;直拉單晶后切片用于制造太陽能
電池片,可以獲得16%以上的光電轉(zhuǎn)換效率;經(jīng)過區(qū)域熔融法拉單晶后切片用于制造太陽能電池片,可以獲得17%以上的光電轉(zhuǎn)換效率。
聲明:
“用于制造太陽能級硅的生產(chǎn)工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)