本發(fā)明涉及一種
電化學(xué)傳感器仿生分子識(shí)別納米傳感膜及其制備方法。是具有對(duì)模板分子專(zhuān)一的仿生分子識(shí)別能力的傳感膜,其特征在于該傳感膜是生成在電化學(xué)傳感器的金屬電極表面上的、厚度可控的、厚度范圍為5~50納米的膜,其傳感膜的厚度是通過(guò)可逆加成-鏈轉(zhuǎn)移自由基聚合反應(yīng)時(shí)間控制,且與時(shí)間呈線性關(guān)系。其金屬電極是以金或鉑為材料。制備方法:首先對(duì)金屬電極表面進(jìn)行鹵代烷衍生,再對(duì)上述表面為鏈轉(zhuǎn)移劑的金屬電極進(jìn)行分子印跡聚合反應(yīng),對(duì)上述表面為鏈轉(zhuǎn)移劑的金屬電極進(jìn)行分子印跡聚合反應(yīng),最后洗脫仿生分子識(shí)別納米傳感膜中的模板分子即得。本發(fā)明制得的傳感器靈敏度高、穩(wěn)定性好,將廣泛應(yīng)用在冶金、化工、環(huán)保等相關(guān)領(lǐng)域。
聲明:
“電化學(xué)傳感器仿生分子識(shí)別納米傳感膜及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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