本發(fā)明屬于硅冶金技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種通過熔鹽電解法制備
多晶硅的方法。所述方法采用具有陽極室和陰極室的電解槽實(shí)施,電解槽內(nèi)盛有陽極電解質(zhì)、陰極電解質(zhì)、液態(tài)合金等熔體;向陽極室中加入二氧化硅原料,通電電解,即可在陰極室中得到多晶硅產(chǎn)物。本發(fā)明方法具有生產(chǎn)連續(xù)、可操作性強(qiáng)、多晶硅產(chǎn)物純度高的優(yōu)點(diǎn),避免了現(xiàn)有熔鹽電解法所具有的原料溶解性能差和操作要求高等缺陷,以及碳熱還原法所面臨的高溫能耗和有毒廢氣排放的問題。
聲明:
“多晶硅的冶煉方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)