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高硅含量的鋁基梯度電子封裝復合材料的制備方法

891 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 14:50:31

本發(fā)明涉及一種高硅含量的鋁基梯度電子封裝復合材料的制備方法，屬于鋁基粉末材料熱成形工藝。本發(fā)明解決了現(xiàn)有Al?Si電子封裝材料制備方法，無法實現(xiàn)封裝料梯度結構設計及近凈成形的不足。本發(fā)明通過粉末冶金結合多次裝料冷壓、分步熱壓等工藝制備的梯度結構電子封裝材料，具有成分梯度可以調(diào)控、成本低廉且具備精密成形的優(yōu)點，可以在保障良好性能的同時大幅度降低后續(xù)的機加工變形量。本發(fā)明適用于Si質量含量從20％～75％的梯度鋁基電子封裝材料的制備，以及高性能電子封裝料坯材以及半成品的制備。

聲明：

“高硅含量的鋁基梯度電子封裝復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)