本發(fā)明公開了一種去除硅材料表面雜質(zhì)的方法,屬于
新能源材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本方法利用強(qiáng)流脈沖電子束輻照處理硅材料,通過瞬時(shí)高能量注入引發(fā)表面蒸發(fā)和表層噴發(fā)過程,發(fā)揮表面蒸發(fā)去除雜質(zhì)和熔體噴發(fā)去除深層雜質(zhì)的雙重效果,獲得具有一定厚度且符合
太陽(yáng)能電池制造使用要求的表層高純
多晶硅材料。本方法可對(duì)不經(jīng)任何提純預(yù)處理的冶金多晶硅原料、其他提純工藝生產(chǎn)的中間硅材料,以及生產(chǎn)使用中表面出現(xiàn)污染和服役性能下降的回收成品硅材料直接進(jìn)行表面提純處理,具有操作簡(jiǎn)單、投資低、能耗低和無環(huán)境排放污染等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“去除硅材料表面雜質(zhì)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)