本實用新型屬于用物理冶金技術(shù)提純
多晶硅領(lǐng)域。一種電子束淺熔池熔煉提純多晶硅的設(shè)備,設(shè)備由真空蓋及真空爐壁構(gòu)成真空設(shè)備,真空設(shè)備的內(nèi)腔即為真空室;真空室底部固定安裝熔煉支撐底座,熔煉支撐底座上安裝有套環(huán),熔煉支撐底座內(nèi)安裝有水冷升降托盤,周圍套環(huán)一側(cè)開有導(dǎo)流口,導(dǎo)流口下方安裝有拉錠機(jī)構(gòu),在真空室的上部安裝電子槍,電子槍束流對準(zhǔn)水冷升降托盤上方。本實用新型設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單,直接使用大塊硅料作為原料以及周圍的套環(huán)形成淺熔池,綜合電子束淺熔池熔煉和定向凝固去除硅中的雜質(zhì)磷和金屬。減少了能量的損失,提高了生產(chǎn)效率,去除效果良好,集成了除磷和除金屬的雙重效果,適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
聲明:
“電子束淺熔池熔煉提純多晶硅的設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)