在第一方面中,一種方法包括淀積第一含金屬層(16)到溝槽結(jié)構(gòu)中,該第一含金屬層(16)接觸半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(10)的金屬化區(qū)域(12)。該方法進(jìn)一步包括在抗蝕劑中對(duì)第一含金屬層(16)圖案化至少一個(gè)開口。該開口應(yīng)該和溝槽結(jié)構(gòu)對(duì)準(zhǔn)。在至少一個(gè)開口內(nèi)至少形成襯墊含金屬層(20)(優(yōu)選地通過(guò)電鍍處理)。隨后蝕刻該抗蝕劑(18)和抗蝕劑(18)下面的第一金屬層(16)(在實(shí)施例中,以第二金屬層(20)作為掩模)。該方法包括在蝕刻處理之后將焊料材料(22)流到溝槽中和流到襯墊含金屬層(20)上。該結(jié)構(gòu)是受控熔塌
芯片連接(C4)結(jié)構(gòu),其包括在抗蝕劑圖案中形成的至少一個(gè)電鍍金屬層以形成至少一個(gè)球限制冶金層。該結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括沒有底切的下金屬層。
聲明:
“形成焊料連接的方法及其結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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