本發(fā)明屬于冶金提純技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種反向誘導(dǎo)提純
多晶硅的方法,另外還涉及其設(shè)備。該方法采用感應(yīng)線圈將硅料加熱熔化形成硅熔體,調(diào)小感應(yīng)線圈的功率,水冷旋轉(zhuǎn)桿向下拉錠,使硅熔體由底部向頂部凝固,凝固到80%~90%時,開啟落粉裝置,使高純硅粉散落到上層硅熔體中,高純硅粉作為形核劑使上層硅熔體迅速反向凝固,待凝固完成后切去上層反向凝固得到的部分,得到的下層鑄錠即為高純硅鑄錠。本發(fā)明的顯著效果是在凝固尾聲階段,利用落料裝置將硅粉均勻散落到硅熔體表面,硅粉作為形核劑使雜質(zhì)含量較高的上層硅熔體迅速凝固,有效抑制了上層硅熔體中含量較高的雜質(zhì)在保溫過程中向已凝固的低濃度區(qū)域擴(kuò)散,起到了反向誘導(dǎo)凝固提純多晶硅的目的。
聲明:
“反向誘導(dǎo)凝固提純多晶硅的方法及設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)