本發(fā)明公開(kāi)了一種MEMS器件的封裝方法，包括S1在框架基板與封蓋的內(nèi)表面上對(duì)稱(chēng)附著圖形化的過(guò)渡金屬化層和釬料層；S2在框架基板的釬料層上附著圖形化的自蔓延多層膜；S3將芯片鍵合固定在框架基板上并實(shí)現(xiàn)信號(hào)互連；S4將固定有芯片的框架基板與封蓋進(jìn)行除氣除濕處理后對(duì)準(zhǔn)堆疊形成封裝結(jié)構(gòu)；S5對(duì)封裝結(jié)構(gòu)施加壓力、預(yù)熱后引燃自蔓延多層膜，自蔓延多層膜燃燒并熔化釬料層實(shí)現(xiàn)冶金互連。本發(fā)明將封蓋直接與框架基板鍵合，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝和結(jié)構(gòu)，降低成本；在焊接過(guò)程中，自蔓延燃燒反應(yīng)不會(huì)對(duì)封裝內(nèi)部真空度造成影響；反應(yīng)升降溫速度快，熱影響區(qū)小，在釬料層熔化完成鍵合的同時(shí)，芯片及封蓋不會(huì)受到熱影響，提高了器件的可靠性，延長(zhǎng)了工作壽命。