xSn1-x(BryI1-y)3納米線(xiàn)的制備方法及其光電探測(cè)器,探礦技術(shù)"> xSn1-x(BryI1-y)3納米線(xiàn)的制備方法及其光電探測(cè)器,本發(fā)明公開(kāi)了一種無(wú)機(jī)CsPbxSn1?x(BryI1?y)3納米線(xiàn)的制備方法及其在光電探測(cè)器中的應(yīng)用。其步驟是,室溫下,在導(dǎo)電玻璃基底表面依次將碘化鉛DMF溶液旋涂成膜,然后退火獲得PbI2薄膜;再將其小心放置于碘化銫和碘化亞錫混合的無(wú)水甲醇溶液的封閉培養(yǎng)皿中,放置3~6小時(shí),取出用異丙醇清洗風(fēng)干;再繼續(xù)將其放置于有溴化銫的無(wú)水甲醇溶液的培養(yǎng)皿中,放置0~120分鐘,取出清洗風(fēng)干并退火;再在其上旋涂一層PMMA的氯苯溶液,然后再退火,獲得所述的無(wú)機(jī)CsPb">

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無(wú)機(jī)CsPbxSn1-x(BryI1-y)3納米線(xiàn)的制備方法及其光電探測(cè)器

737   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-02-28 01:00:09
本發(fā)明公開(kāi)了一種無(wú)機(jī)CsPbxSn1?x(BryI1?y)3納米線(xiàn)的制備方法及其在光電探測(cè)器中的應(yīng)用。其步驟是,室溫下,在導(dǎo)電玻璃基底表面依次將碘化鉛DMF溶液旋涂成膜,然后退火獲得PbI2薄膜;再將其小心放置于碘化銫和碘化亞錫混合的無(wú)水甲醇溶液的封閉培養(yǎng)皿中,放置3~6小時(shí),取出用異丙醇清洗風(fēng)干;再繼續(xù)將其放置于有溴化銫的無(wú)水甲醇溶液的培養(yǎng)皿中,放置0~120分鐘,取出清洗風(fēng)干并退火;再在其上旋涂一層PMMA的氯苯溶液,然后再退火,獲得所述的無(wú)機(jī)CsPbxSn1?x(BryI1?y)3納米線(xiàn)。本制備方法操作簡(jiǎn)單,成本低廉,穩(wěn)定性好;性能參數(shù)與全鉛的鈣鈦礦納米線(xiàn)光電探測(cè)器的性能相近。本發(fā)明成功將Sn元素部分取代Pb元素,減少了鈣鈦礦的毒性,為鈣鈦礦光電器件的發(fā)展帶來(lái)了深遠(yuǎn)的影響。
聲明:
“無(wú)機(jī)CsPbxSn1-x(BryI1-y)3納米線(xiàn)的制備方法及其光電探測(cè)器” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)
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