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光電探測(cè)器及其制作方法

747   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-02-28 01:00:09
本發(fā)明提供了一種光電探測(cè)器及其制作方法,通過在基底上自下而上依次設(shè)置第一電極、空穴傳輸層、包含有鈣鈦礦的光敏活性層、電子傳輸層和第二電極制作出具有垂直結(jié)構(gòu)的光電探測(cè)器。所述光敏活性層中的鈣鈦礦與電子傳輸層之間形成PN結(jié),從而構(gòu)造了內(nèi)建電場(chǎng),由此僅需在第一電極和第二電極間施加0V偏壓即可將光敏活性層產(chǎn)生的空穴和電子分離開來,實(shí)現(xiàn)了光電探測(cè)器的低驅(qū)動(dòng)電壓,有利于產(chǎn)品功耗的降低,而且空穴傳輸層和電子傳輸層分別設(shè)置在光敏活性層的上方和下方,這種垂直設(shè)置方式可加速空穴和電子的傳輸,由此提高了光電探測(cè)器的光電流,進(jìn)而提高器件的光響應(yīng)度;同時(shí),所述光電探測(cè)器中各層均可是柔性材料,以滿足便攜性和多功能性的需求。
聲明:
“光電探測(cè)器及其制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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