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p-BN/i-AlGaN/n-AlGaN的紫外探測器及制作方法

877   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-02-28 01:00:10
本發(fā)明公開了一種p?BN/i?AlGaN/n?AlGaN的紫外探測器及其制作方法,主要解決現(xiàn)有AlGaN基紫外探測器的響應(yīng)時間較長、量子效率較低以及光譜響應(yīng)度較差的問題。其自下而上包括:襯底、AlN成核層、AlN本征層、AlGaN本征層、n型AlGaN層、n電極、i型AlGaN層、P型BN層和p電極,其特征在于,p型BN層采用厚度為60?100nm的Mg摻雜的纖鋅礦氮化硼材料,摻雜的濃度為5×1017?1×1019cm?3以上的Mg摻雜的纖鋅礦氮化硼材料。本發(fā)明由于P型氮化硼能夠有效地提供空穴,使得探測器的響應(yīng)時間變短、量子效率以及光譜響應(yīng)度提升,可用于光通信、生化分析、臭氧檢測和公安刑偵。
聲明:
“p-BN/i-AlGaN/n-AlGaN的紫外探測器及制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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