2AgBiBr6薄膜的光電導(dǎo)型探測器及制備方法,探礦技術(shù)"> 2AgBiBr6薄膜的光電導(dǎo)型探測器及制備方法,本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電探測技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于Cs2AgBiBr6薄膜的光電導(dǎo)型探測器及制備方法。其結(jié)構(gòu)由Si襯底、絕緣的SiO2層、Au叉指電極和Cs2AgBiBr6薄膜構(gòu)成。其特征在于,采用簡單的制備方法實現(xiàn)了非鉛Cs2AgBiBr6薄膜的制備,克服了傳統(tǒng)鈣鈦礦結(jié)構(gòu)在不穩(wěn)定性和鉛毒性上的缺點,對鈣鈦礦光探測器簡化工藝、環(huán)境友好、進而走向?qū)嵱没哂蟹浅V匾囊饬x。">
位置:中冶有色 >
> 基于Cs2AgBiBr6薄膜的光電導(dǎo)型探測器及制備方法