本發(fā)明公開了一種在
鈦金屬表面原位生長(zhǎng)介電薄膜及其制備方法,包括如下步驟:配置電解液采用氫氧化鋇或氫氧化鍶或兩者的混合液,其中氫氧化鋇溶液的摩爾濃度在0~0.6mol/L之間,氫氧化鍶溶液的摩爾濃度在0~0.3mol/L之間;采用直流脈沖電源,電流密度為100~500mA/cm2,脈沖頻率為50~250Hz,占空比為60%~95%,處理時(shí)間為6~60min;將鈦金屬基體連接到陽極,反應(yīng)時(shí)控制電解液的溫度保持在50~60℃之間;反應(yīng)后,取下被處理的鈦金屬,用蒸餾水沖洗,烘干。本發(fā)明工序簡(jiǎn)單、成膜速度快,薄膜與基體Ti的結(jié)合為冶金結(jié)合,薄膜具有優(yōu)異的介電性能。
聲明:
“在鈦金屬表面原位生長(zhǎng)介電薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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