本發(fā)明涉及一種光學(xué)Tamm態(tài)增強(qiáng)型
石墨烯光電探測器,該光電探測器包括自下而上依次堆疊的P型高摻硅片(1)、金屬反射鏡(2)、絕緣層(3)、光敏層和漏源電極(4)、介質(zhì)保護(hù)層(5)和介質(zhì)布拉格反射鏡(6),所述的光敏層(4)為二維材料或有機(jī)光電薄膜,包括石墨烯、二硫化鉬、黑磷等、
鈣鈦礦、量子點(diǎn)薄膜。本發(fā)明利用光學(xué)Tamm態(tài)將石墨烯的光吸收能力提升了26倍(從2.3%提升至60%),解決了純石墨烯光電探測器光響應(yīng)率低的問題(從0.6mA/W提升至30mA/W);通過改變結(jié)構(gòu)參數(shù)(金屬反射鏡材料,介質(zhì)布拉格反射鏡參數(shù))可以實(shí)現(xiàn)不同響應(yīng)頻率和帶寬的光電探測,以滿足不同的應(yīng)用需求。
聲明:
“光學(xué)Tamm態(tài)增強(qiáng)型石墨烯光電探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)