本發(fā)明提供了基于真空分離式p?n結(jié)n型變摻雜GaN基陽極的
太陽能電池,包括GaAs光電陰極、真空腔和陽極,所述陽極采用GaN基材料,所述陽極從最表層到靠近真空腔依次為襯底層、AlN緩沖層、n型變摻雜GaN接收層,其中AlN緩沖層生長在襯底層上;n型變摻雜GaN基接收層生長在AlN緩沖層上。本發(fā)明采用n型變摻雜GaN基接收層,在陽極內(nèi)部形成一個內(nèi)建電場,增大了電子在陽極內(nèi)部的輸運速率,提高了電子收集能力,抑制陽極材料的噪聲電流,實現(xiàn)的真空分離式p?n結(jié)太陽能電池較高的能量轉(zhuǎn)換。
聲明:
“基于真空分離式p-n結(jié)n型變摻雜GaN基陽極的太陽能電池” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)