本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域。一種嵌埋式陶瓷基板的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:步驟一,正面金屬層以及背面金屬層預處理;所述正面金屬層包括至少兩層金屬片,至少兩層金屬片包括靠近瓷片的第一金屬片,至少兩層金屬片中除了第一金屬片的其余的金屬片開設(shè)有至少一個上下貫穿的貫穿孔;步驟二,將正面金屬層、瓷片以及背面金屬層三者進行真空燒結(jié)。所述貫穿孔用于內(nèi)嵌
芯片。本專利通過在正面金屬層上開設(shè)有貫穿孔,便于實現(xiàn)了對芯片的限位固定效果。相應的減薄了后期封裝件的厚度。此外,可以實現(xiàn)芯片的熱量從周向向外以及向下區(qū)域的金屬層散熱,大大的提高的散熱范圍。
聲明:
“嵌埋式陶瓷基板的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)