一種陶瓷低溫活性金屬化用膏體、陶瓷金屬化方法及依據(jù)該方法制備的真空電子器件。膏體的組成為:Mo粉3.0~5.0wt.%,粘結(jié)劑8.0~15.0wt.%和AgCuInTiLi合金粉為余量。其制備方法包括:制備陶瓷低溫活性金屬化用膏體,將膏體涂覆在陶瓷表面,烘干陶瓷除去粘結(jié)劑和真空燒結(jié)。陶瓷活性金屬化處理后,可在表面生成厚度40μm~60μm的金屬過渡層,可焊性得到改善,焊著率及焊接強度顯著提高。該處理方法適用于
氧化鋁、氧化鋯、氧化鈹、氮化硼等多種陶瓷金屬化,方法簡單,操作流程短,成本低,利于批量生產(chǎn)。
聲明:
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