本發(fā)明涉及一種氮化硅瓷片界面改性方法及覆銅陶瓷基板制備方法,其中氮化硅瓷片界面改性方法包括如下步驟:1)改性溶液制備:將粒徑為20~20000nm的α?氮化硅粉末與分散劑加入至溶劑中攪拌均勻,得到α?氮化硅粉末含量為0.003~0.02g/mL的改性溶液;2)改性瓷片制備:將步驟1)中的改性溶液均勻涂覆在氮化硅瓷片上并在80~220℃條件下烘干。根據(jù)上述方法改性后的氮化硅瓷片可直接用于覆銅陶瓷基板的活性釬焊,提高了氮化硅瓷片釬焊時反應(yīng)活性,進(jìn)行真空燒結(jié)時,能夠在瓷片與金屬焊片界面層形成更致密的結(jié)構(gòu),能夠提高產(chǎn)品的剝離強(qiáng)度。此外,未反應(yīng)的α?氮化硅粉末能夠嵌入近瓷界面層中,降低界面層的熱膨脹系數(shù),可提高瓷片與界面層在冷熱沖擊條件下的結(jié)合可靠性。
聲明:
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