本實用新型公開一種陶瓷覆銅框架及基于該框架的場效應(yīng)晶體管,所述陶瓷覆銅框架包括陶瓷基板、位于陶瓷基板上的金屬化層以及位于金屬化層上的銅層,金屬化層通過金屬化漿料印刷技術(shù)印刷在陶瓷基板上,印刷在陶瓷基板上的金屬化層與陶瓷基板通過真空燒結(jié)工藝結(jié)合,形成緩沖層,銅層通過電鍍覆在緩沖層上。本實用新型所述框架兼顧了裸銅框架的高導(dǎo)電性和高散熱性能,同時又規(guī)避了框架與
芯片之間熱失配嚴重導(dǎo)致的可靠性問題,從而提高了器件的可靠性,降低了失效率。
聲明:
“陶瓷覆銅框架及基于該框架的場效應(yīng)晶體管” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)