本發(fā)明涉及半導(dǎo)體和太陽能硅材料技術(shù)領(lǐng)域,具體地說是一種低溫低成本高純碳化硅超細(xì)微粒的制備方法,選取切割廢料,通過抽真空,通入氬氣,保壓升溫,通入混合氣體,第二次保壓升溫,預(yù)處理,第三次保壓升溫,保溫抽真空,保壓降溫的手段,制備碳化硅粉體。本發(fā)明同現(xiàn)有技術(shù)相比,采用傳統(tǒng)工藝燒結(jié)制備高純碳化硅時,需要收集后進(jìn)行二次煅燒和提純,尺寸不均勻、一致性較差,且成本較高。本發(fā)明為一步法實(shí)現(xiàn)全碳化的制備工藝,無需燒結(jié)后的分選、提純和二次回?zé)幚?。本發(fā)明不需要除水過程,還可借助水合硅微?;蚝?xì)高純硅微粒的疏松結(jié)構(gòu)優(yōu)勢,實(shí)現(xiàn)低溫碳化工藝處理,大幅提高現(xiàn)有技術(shù)制備碳化硅微粒的效率和質(zhì)量。
聲明:
“低溫低成本高純碳化硅超細(xì)微粒的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)