本發(fā)明提供了一種超薄Ta-W合金箔材的制備方法;屬于Ta-W合金加工技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括
粉末冶金法制備合金坯錠、冷軋開坯、冷軋/真空退火的循環(huán)操作以及3~5μm箔材的退火等步驟;所制備的箔材厚度可達(dá)到3~5μm,本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單,制備的箔材精度高,與純Ta箔材以及其他Ta-W合金箔材相比具有強(qiáng)度高、表面質(zhì)量好等優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明所制備厚度為3~5μm的Ta-(5.0~7.5wt%)W合金箔材適用于電子電工、航空航天等工業(yè)上大功率微波管和行波管等真空器件。本發(fā)明在實(shí)現(xiàn)大功率高性能微波管國(guó)產(chǎn)化、提高微波管使用性能和使用壽命等方面具有重要意義。
聲明:
“超薄Ta-W合金箔材的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)