本發(fā)明公開了一種燒結(jié)取向磁體內(nèi)部缺陷的修復(fù)方法,采用緩慢升溫和分段保溫制度對(duì)燒結(jié)取向磁體的內(nèi)部缺陷進(jìn)行修復(fù),修復(fù)過(guò)程中,磁體與目標(biāo)滲透源之間始終保持宏觀相對(duì)運(yùn)動(dòng),所述目標(biāo)滲透源由滲透助劑35?99.9wt%和0.1?65wt%可滲透入磁體2:14:1型主相、晶界相、和/或晶界角隅相的元素單質(zhì)和/或化合物的滲透劑組成;所述方法實(shí)現(xiàn)了工業(yè)化生產(chǎn)中穩(wěn)定地修復(fù)取向磁體的內(nèi)部缺陷,改進(jìn)了主相晶粒界面,調(diào)整了晶界相成分及結(jié)構(gòu),促進(jìn)了晶界相的再分布,提高了取向燒結(jié)磁體的磁性能、熱穩(wěn)定性。本發(fā)明還公開了采用所述方法修復(fù)得到的磁體。
聲明:
“燒結(jié)取向磁體內(nèi)部缺陷的修復(fù)方法及修復(fù)后的磁體” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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