2O3濺射靶材及制備與應用,真空冶金"> 2O3濺射靶材及制備與應用,本發(fā)明屬于金屬及其氧化物涂層技術領域,公開了一種AlCr+α?Al2O3濺射靶材及制備與應用。所述濺射靶材由10~20wt%的α?Al2O3,36.2~40.7wt%的Cr和43.8~49.3wt%的Al組成。將Al粉、Cr粉與α?Al2O3粉經(jīng)混粉、加壓燒結,得到致密AlCr+α?Al2O3濺射靶材。所得AlCr+α?Al2O3濺射靶材通過射頻磁控濺射在基體溫度520~600℃和10%~15%O2分壓下沉積可沉積出單相納米α?(Al,Cr)2O3薄膜,所">