本發(fā)明公開(kāi)了一種釹鐵硼顆粒連續(xù)復(fù)合鍍膜裝置及對(duì)釹鐵硼晶界深度調(diào)控的方法,涉及燒結(jié)釹鐵硼制造領(lǐng)域。該裝置包括進(jìn)料系統(tǒng)、鍍膜系統(tǒng)、出料系統(tǒng)、直流偏壓電源、冷卻系統(tǒng)和抽真空系統(tǒng)。鍍膜室內(nèi)部包括反濺清洗區(qū)和濺射鍍膜區(qū)。顆粒通過(guò)布料斗均勻布置在電磁振動(dòng)布料工作臺(tái)上進(jìn)行反濺清洗,之后運(yùn)動(dòng)到磁控濺射鍍膜工作臺(tái)上進(jìn)行多靶材連續(xù)復(fù)合磁控濺射鍍膜。出料室內(nèi)的集料斗收集顆粒并導(dǎo)入旋轉(zhuǎn)冷卻滾筒進(jìn)行冷卻,調(diào)整布料斗尺寸以調(diào)整顆粒粉料厚度,調(diào)整電磁振動(dòng)角以調(diào)整粉料行進(jìn)速度,調(diào)整濺射電流來(lái)調(diào)整靶材的沉降速率,進(jìn)而控制顆粒表面的膜層厚度。該方法可對(duì)燒結(jié)釹鐵硼進(jìn)行深度高效的晶界調(diào)控,改善了磁體性能、耐腐蝕性和機(jī)械特性。
聲明:
“釹鐵硼顆粒連續(xù)復(fù)合鍍膜裝置及對(duì)釹鐵硼晶界深度調(diào)控的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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