本發(fā)明涉及一種開管涂源全擴散制造低功耗雪崩晶閘管
芯片的方法,包括1)工藝環(huán)境準備;2)超聲波清洗;3)硅片清洗;4)清洗石英架、石英砣:5)硅片硼-鋁擴散;6)氧化;7)一次光刻;8)磷擴散;9)割圓;10)燒結(jié);11)二次光刻與蒸發(fā)一次成型;12)合金;13)臺面處理;14)測試。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:1)采用硼-鋁一次擴散,保證PN結(jié)前沿平緩及產(chǎn)品的一致性;2)采用二次光刻與蒸發(fā)一次成型技術(shù),簡化工序,降低物理損傷,提高成品率和產(chǎn)品性能的可靠性;3)在超凈工藝環(huán)境中操作,特殊的清洗方法及優(yōu)質(zhì)清洗試劑保證長的少子壽命;4)新型燒結(jié)技術(shù)保證燒結(jié)變形小,粘接牢固,保證擴散參數(shù)穩(wěn)定不變。
聲明:
“開管涂源全擴散制造低功耗雪崩晶閘管芯片的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)