本發(fā)明公開(kāi)了一種層狀電磁薄膜材料鼓包試樣的制備方法。該方法首先采用濕氧化法和機(jī)械加工法對(duì)單晶硅薄片進(jìn)行處理,獲得一面為單晶硅表面,另一面為帶特定盲孔的二氧化硅表面。然后在單晶硅面沉積電磁薄膜材料,并完成高溫退火。再使用有機(jī)硅膠將沉積薄膜材料的那面粘結(jié)到一個(gè)帶有圓孔的石英片襯底上,再密封樣品表面,只暴露出盲孔區(qū)域。然后將其放入到氫氧化鉀溶液中進(jìn)行腐蝕,使得盲孔區(qū)域底部剩余的基底發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。根據(jù)預(yù)先標(biāo)定好的腐蝕速率來(lái)確定腐蝕時(shí)間長(zhǎng)短,直至把該區(qū)域的單晶硅腐蝕掉,完全露出樣品另一面沉積的薄膜。然后對(duì)其清洗、干燥和去除有機(jī)硅膠,最終獲得帶獨(dú)立支撐窗口的層狀電磁薄膜材料鼓包樣品。
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“層狀電磁薄膜功能材料鼓包試樣的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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