本發(fā)明屬于電子
功能材料領(lǐng)域,具體涉及一種在硅基片上生長(zhǎng)(100)擇優(yōu)取向鈦酸鉍鈉基薄膜的方法。該系列薄膜的化學(xué)通式為Na0.5Bi0.5Ti1-yXyO3-δ,其中X為摻雜元素;y為摻雜元素的摻雜量;δ是為了維持電荷平衡所失去的氧原子的數(shù)目。本發(fā)明采用優(yōu)化的化學(xué)溶液沉積制備技術(shù),在硅基片上,制備了具有(100)擇優(yōu)取向的鈦酸鉍鈉基薄膜。本發(fā)明整個(gè)制備工藝過(guò)程簡(jiǎn)單、易控,成本低廉,且制備出的薄膜晶相單一,擇優(yōu)取向度高。
聲明:
“在硅基片上生長(zhǎng)(100)擇優(yōu)取向鈦酸鉍鈉基薄膜的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)