本發(fā)明公開了一種透明熱電模塊的制備方法,屬于
功能材料及器件領(lǐng)域。本發(fā)明所述方法首先采用脈沖激光沉積在雙面拋光Al2O3(0001)單晶襯底的其中一個(gè)表面淀積P?CuCr1?xMgxO2薄膜,淀積過程用鎳掩膜板Ⅰ遮擋襯底表面;然后將雙面拋光Al2O3(0001)單晶襯底翻轉(zhuǎn)180°,鎳掩膜板Ⅰ位置不變,用脈沖激光沉積在單晶襯底的另一表面淀積N?Zn1?yAlyO薄膜;最后采用離子濺射在單晶襯底的邊緣兩側(cè)制備金電極,淀積過程用鎳掩膜板Ⅱ遮擋襯底的邊緣兩側(cè)。本發(fā)明制備得到的透明熱電模塊為P?CuCr1?xMgxO2、N?Zn1?yAlyO薄膜間呈X形交叉分布,且金電極將P、N型薄膜依次連接成兩個(gè)串聯(lián)通路。本發(fā)明相比現(xiàn)有薄膜熱電模塊單位面積上的輸出功率增大,襯底和電極材料用量減少,模塊在可見光波段透過率高,肉眼觀察為透明。
聲明:
“透明熱電模塊的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)