本發(fā)明公開了一種抗輻射封裝加固的CMOS器件及其制備方法,屬于
功能材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明解決了現(xiàn)有屏蔽材料無法有效解決CMOS器件受到總劑量效應(yīng)影響后導(dǎo)致閾值電壓的絕對(duì)值增大、甚至性能失效等問題。本發(fā)明首先將
稀土金屬氧化物與高Z金屬材料進(jìn)行復(fù)合,形成核殼結(jié)構(gòu),再將復(fù)合顆粒與樹脂基體復(fù)合,涂覆于CMOS器件表面,制備成抗封裝加固的輻射防護(hù)涂層。本發(fā)明制備的核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合顆粒在樹脂基體中分散開后,會(huì)在微觀結(jié)構(gòu)上形成不同材料多層交替的結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)射線在材料中的交替穿透,使材料具備更好輻射屏蔽能力的同時(shí),簡化了多層交替材料的制備工藝。
聲明:
“抗輻射封裝加固的CMOS器件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)