本發(fā)明公開了一種在
氧化鋁基片表面直接生長碳納米螺旋或碳納米球的方法。本發(fā)明以乙炔作為碳源,利用高溫裂解的方法,通過調(diào)控反應(yīng)溫度,實現(xiàn)了在無過渡族金屬的催化作用下,在氧化鋁基片上可控地合成出高選擇性的碳納米螺旋或碳納米球,很好地解決了以往由于過渡族金屬催化劑的存在而帶來的該種
功能材料在電子學(xué)領(lǐng)域研究的工藝技術(shù)難題,并大大地簡化了實驗過程和成本。為了該種材料的電子學(xué)領(lǐng)域研究和產(chǎn)品開發(fā)奠定了堅實的實驗基礎(chǔ)。本表明具有很好的重復(fù)性、操作簡單且環(huán)境友好,拓寬了該類型在納米器件領(lǐng)域的研究和潛在性的應(yīng)用。本發(fā)明方法簡單,使用效果好。
聲明:
“在氧化鋁基片表面直接生長碳納米螺旋或碳納米球的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)