本發(fā)明公開了一種減小電荷共享效應(yīng)的CMOS器件及其制備方法。本發(fā)明的CMOS器件在隔離區(qū)的正下方設(shè)置俘獲載流子的附加隔離區(qū)。該附加隔離區(qū)的材料為多孔硅等,由于多孔硅是一種通過
電化學(xué)陽極氧化單晶硅片形成的海綿狀結(jié)構(gòu)的
功能材料,多孔硅的表面層內(nèi)存在大量的微孔和懸掛鍵。這些缺陷會在多孔硅的禁帶中央形成缺陷態(tài),缺陷態(tài)可俘獲載流子,導(dǎo)致電阻增大,且隨著腐蝕電流密度的增大,孔隙率增大,多孔硅中的缺陷增多。本發(fā)明中利用多孔硅中缺陷態(tài)俘獲載流子的特性可減小重離子引起的電荷共享效應(yīng),淺溝道隔離STI區(qū)和下方隔離區(qū)的形成只需要一次光刻,工藝簡單,且可以極大地提高集成電路的抗輻射性能。
聲明:
“減小電荷共享效應(yīng)的CMOS器件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)