本發(fā)明提供了一種利用二次退火降低自旋閥薄膜矯頑力的方法，屬于信息電子、功能材料領(lǐng)域。在磁控濺射儀中制備自旋閥薄膜，在真空退火爐中進(jìn)行退火。其特征在于：采用兩次退火，退火順序依次為在1000～3000Oe磁場(chǎng)下，在100～300℃溫度下，保溫0.5～3h后，降至室溫；再在50～300Oe磁場(chǎng)下，在100～300℃溫度下，保溫0.5～3h；第一次退火時(shí)的磁場(chǎng)方向沿著自旋閥薄膜制備態(tài)時(shí)的易軸方向，第二次退火時(shí)的磁場(chǎng)方向與第一次退火時(shí)的磁場(chǎng)方向垂直；退火時(shí)本底真空度為1×10－4～1×10－5Pa；退火時(shí)通入一定流量的N2作為保護(hù)氣體。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：利用兩次退火，既提高了自旋閥薄膜在室溫下的磁阻效應(yīng)，又明顯降低了薄膜的矯頑力。本發(fā)明對(duì)改進(jìn)磁傳感器的性能有重要的應(yīng)用價(jià)值。