本發(fā)明公開表面修飾的量子點(diǎn)及其制備方法、應(yīng)用與QLED器件,所述方法包括如下步驟:制備一量子點(diǎn)溶液;制備一含離子的有機(jī)配體前驅(qū)物;將含離子的有機(jī)配體前驅(qū)物加入量子點(diǎn)溶液中對(duì)量子點(diǎn)進(jìn)行表面修飾,制備得到表面修飾的量子點(diǎn)。本發(fā)明通過在量子點(diǎn)溶液中加入含有離子的有機(jī)配體前驅(qū)物,利用這些含有離子的有機(jī)配體前驅(qū)物與量子點(diǎn)表面的懸掛鍵結(jié)合,從而達(dá)到盡可能消除量子點(diǎn)表面暴露懸掛鍵的目的。本發(fā)明量子點(diǎn)表面暴露的懸掛鍵的減少,可以提升量子點(diǎn)自身的發(fā)光效率。
聲明:
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