本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種膜層及其沉積方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。所述膜層沉積方法包括如下步驟:提供一介質(zhì)層;傳輸前驅(qū)氣體和反應(yīng)氣體至所述介質(zhì)層表面,形成覆蓋于所述介質(zhì)層表面的膜層和副產(chǎn)物;除去所述副產(chǎn)物,推動(dòng)所述前驅(qū)氣體與所述反應(yīng)氣體之間的化學(xué)反應(yīng)正向進(jìn)行。本發(fā)明提高了生成的膜層的純度,減少了所述膜層中夾雜的副產(chǎn)物,改善了膜層的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和抗摻雜能力,確保了最終生成的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的良率。
聲明:
“膜層及其沉積方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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