一種高強(qiáng)度、低熱膨脹的AlN納米線和Al
復(fù)合材料,在純度大于95%的AlN納米線的基礎(chǔ)上,采用過(guò)Al熔點(diǎn)熱壓的辦法制備出高致密度AlN納米線/Al復(fù)合材料,采用H2電弧法制備出平均粒徑為80-120nm的Al納米顆粒;采用Al,AlCl3,Al2O3和NH3為反應(yīng)物,通過(guò)氣相CVD法在石英基板上沉積出克量級(jí)的AlN納米纖維,其為純度高于95%的單晶AlN納米線,直徑分布在10-50nm之間,將體積組分為0~15%的AlN納米線和Al納米顆?;旌暇鶆?,干燥后的混合粉熱壓成塊體。AlN納米線在基體中分散均勻,界面結(jié)合良好,AlN納米線是一種優(yōu)化金屬基電子復(fù)合材料力性和熱物性的理想增強(qiáng)劑,AlN納米線和Al復(fù)合材料有望發(fā)展成為一種高強(qiáng)度、低熱膨脹的新型電子封裝材料。
聲明:
“高強(qiáng)度、低熱膨脹的A1N納米線和A1復(fù)合材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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