本發(fā)明公開了一種含Ti₃SiC₂界面層的SiC_f/SiC復(fù)合材料的制備方法，采用磁控濺射的方法對(duì)SiC纖維編織件進(jìn)行沉積Ti₃SiC₂，獲得含Ti₃SiC₂界面層的SiC纖維編織件，然后通過樹脂浸漬碳化獲得SiC_f/C多孔體，再通過氣相滲硅獲得SiC_f/SiC復(fù)合材料；所述磁控濺射為先采用TiC靶進(jìn)行磁控濺射，在SiC纖維束或SiC纖維編織件表面獲得0.1～0.2μm的TiC過鍍層，然后再采用TiC靶材與Si靶雙靶共濺射獲得Ti₃SiC₂，所述Ti₃SiC₂的厚度控制為0.6～1.0μm；本發(fā)明首創(chuàng)的采用磁控濺射的方法獲得了含Ti₃SiC₂界面層的SiC_f/SiC復(fù)合材料，有效降低了沉積溫度，避免了纖維的損傷，所得界面層在抗氧化性能方面優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)常用的C、BN等界面層。同時(shí)本發(fā)明采用非接觸式氣相滲硅法進(jìn)行陶瓷化，有效的降低了密度梯度，且可保證100％的合格率。