本發(fā)明屬于電子封裝材料的制備領(lǐng)域，公開(kāi)一種碳化硅/Cu復(fù)合材料的制備方法。將酚醛樹(shù)脂粉溶解于無(wú)水乙醇中；將SiC粉加入所得溶液中，40~60℃攪拌均勻；將攪拌均勻的漿料烘干，造粒過(guò)篩，將所得顆粒粉壓制成型，得到SiC坯體；將SiC坯體置于二氧化鈦溶膠中浸漬處理；取出浸漬后的SiC坯體，干燥后煅燒，得到含TiC涂層的SiC坯體；用銅粉包埋SiC坯體，在真空或者惰性氣氛保護(hù)下1100~1300℃無(wú)壓熔滲銅0.5~2?h，隨后自然降溫冷卻，即得到碳化硅/銅復(fù)合材料。本發(fā)明具有工藝簡(jiǎn)單、操作方便、產(chǎn)品性能良好等優(yōu)點(diǎn)，使SiC/Cu復(fù)合材料擁有良好的導(dǎo)熱性能、低的熱膨脹系數(shù)并具有一定的機(jī)械強(qiáng)度。