本發(fā)明提供了PVK?TMDCs范德華異質(zhì)結(jié)及其制備方法,屬于光電材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用化學氣相沉積法在基底上制備過渡金屬硫族化合物薄膜;采用物理氣相沉積法在所述過渡金屬硫族化合物薄膜表面制備
鈣鈦礦薄膜,得到PVK?TMDCs范德華異質(zhì)結(jié)。本發(fā)明采用化學氣相沉積法在基底上制備過渡金屬硫族化合物薄膜,得到純度高、致密性好、殘余應(yīng)力小、結(jié)晶良好的薄膜,然后采用物理氣相沉積法在過渡金屬硫族化合物薄膜表面制備鈣鈦礦薄膜,過渡金屬硫族化合物薄膜可以對鈣鈦礦薄膜生長的結(jié)構(gòu)和能級起到調(diào)控作用,防止異質(zhì)結(jié)界面中出現(xiàn)雜質(zhì),提高光電材料的光電探測性能。
聲明:
“PVK-TMDCs范德華異質(zhì)結(jié)及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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