本發(fā)明公開了一種利用原子層沉積技術(shù)修飾碳納米管制備耐高壓復(fù)合材料及方法，主要步驟為：1)用硫酸與硝酸的混合酸液酸化碳納米管；2)將酸化后的碳納米管置于溫度為295～305攝氏度的原子層沉積腔內(nèi)，以三甲基鋁源和去離子水作為ALD沉積薄膜的前驅(qū)體源，在酸化后的碳納米管表面沉積氧化鋁；3)利用超聲振蕩以及磁力攪拌將沉積后的碳納米管均勻分散到聚合物基體中，通過勻膠機(jī)制樣并烘干，得到耐高壓復(fù)合材料。本發(fā)明方法制得的復(fù)合材料與文獻(xiàn)報道的摻雜導(dǎo)電粒子的聚合物基復(fù)合材料以及純聚合物基體相比，擊穿強度有顯著提高，為制備具有高介電常數(shù)，高擊穿場強的聚合物基復(fù)合材料提供了新的思路。