本發(fā)明屬于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種基于薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的光電編程多態(tài)存儲(chǔ)器及其制備方法。本發(fā)明通過(guò)在浮柵薄膜晶體管俘獲層中引入多種鈣鈦礦量子點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)在光電編程條件下的多態(tài)存儲(chǔ)器。制備方法包括：將導(dǎo)電襯底放入原子層沉積反應(yīng)腔中，控制沉積腔溫度；低溫原子層沉積制備氧化鋁阻擋層；溶液法制備鈣鈦礦量子點(diǎn),并均勻旋涂于阻擋層上；低溫原子層沉積制備氧化鋁隧穿層；磁控濺射生長(zhǎng)IGZO溝道層，并光刻形成溝道圖形；第二次光刻，電子束蒸發(fā)Ti/Au源漏電極，得到光電可編程的多態(tài)存儲(chǔ)器。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)在電壓編程過(guò)程中通過(guò)改變波長(zhǎng)光照實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器的多態(tài)存儲(chǔ)行為。本發(fā)明為多態(tài)存儲(chǔ)、光電探測(cè)、柔性電子等領(lǐng)域的研究開(kāi)發(fā)提供了解決思路。