一種SiC／ZrC疊層分布的陶瓷基復合材料的制備方法，其特征在于所述的陶瓷基復合材料包括基材C／C復合材料，SiC層，C層，ZrC層，從內到外依次為C／C復合材料，SiC層，C層，ZrC層。先采用化學氣相沉積法制備出C／C多孔預制體，預制體的上表面先滲入Si，高溫下熔融Si滲入到預制體中與C反應形成SiC，接著沉積熱解C，并高溫石墨化處理為多孔C層基體，然后在這層C上滲入Zr，高溫下熔融Zr滲入該C層反應形成ZrC，便得到SiC／ZrC疊層分布的陶瓷基復合材料。獲得的CMC質量輕，強度高，孔隙率低，抗氧化和抗燒蝕能力強。制備周期短、成本低。