本發(fā)明公開一種電子封裝用鍍鎢SIC顆粒增強(qiáng)銅基
復(fù)合材料的制備方法,原料的組分及體積百分比含量為:鍍鎢SIC顆粒50%-75%,添加元素0.5%-3%,CU基體22%-49.5%;其中所述添加元素為FE、CO、NI中的一種或幾種。復(fù)合材料采用混粉、壓制、熔滲和復(fù)壓工藝制備,其中所述CU基體分為CU金屬粉末及CU金屬塊,分別在壓制坯料前后加入。本發(fā)明采用表面鍍鎢的SIC顆粒及添加了合金元素,極大改善了物相之間相互的潤濕性,因此所制備的材料具有優(yōu)良的導(dǎo)熱率、熱膨脹系數(shù)和力學(xué)性能;所采用的液相熔滲方法具有操作簡單、成本低廉、材料致密度高和適合規(guī)?;a(chǎn)的優(yōu)勢。
聲明:
“電子封裝用鍍鎢SIC顆粒增強(qiáng)銅基復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)