本發(fā)明提供了一種負(fù)載磁性納米粒子NiS、CoS的BiVO4
復(fù)合材料NiS/BiVO4、CoS/BiVO4的制備,是以BiVO4為材料,先用
電化學(xué)沉積法在FTO導(dǎo)電玻璃上沉積制備前軀體薄膜,再通過煅燒合成BiVO4薄膜,然后通過化學(xué)沉積,加熱處理和電泳沉積技術(shù)的組合,將磁性NiS、CoS納米粒子成功載入BiVO4薄膜結(jié)構(gòu),然后通過滴涂法構(gòu)建n?n異質(zhì)結(jié),形成的NiS/BiVO4、CoS/BiVO4復(fù)合材料具有棒球結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)有效地抑制了光生載流子的重組,加速了電子和空穴的分離,因此具有優(yōu)異的PEC活性,以其作為光電陽極用于析氫反應(yīng),表現(xiàn)出優(yōu)異的電解水產(chǎn)氫性能。
聲明:
“負(fù)載磁性納米粒子的釩酸鉍復(fù)合材料及其制備和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)