本申請(qǐng)公開了一種凹土/二氧化鈦/二氧化硅/聚苯胺納米導(dǎo)電
復(fù)合材料,該材料以納米凹土為核體,核體外包覆有三層物質(zhì),從里到外依次是納米二氧化鈦層、二氧化硅層和聚苯胺層,其質(zhì)量組成為:凹土100份,二氧化鈦20~150份,二氧化硅10~60份,聚苯胺30~200份。本發(fā)明還公開了該材料的制備方法,包括5個(gè)步驟,首先,制備凹土漿體;其次為表面負(fù)載納米二氧化鈦過程;再次為表面包覆二氧化硅過程,接著為表面包覆導(dǎo)電聚苯胺過程;最后為后處理過程。本發(fā)明公開的導(dǎo)電復(fù)合材料比重輕、易分散、不沉底、具有優(yōu)異導(dǎo)電性能的同時(shí)又兼具屏蔽紫外線性能,用途廣泛;其制備方法所需的工藝流程短、操作簡單,易于實(shí)現(xiàn),具有良好市場前景。
聲明:
“凹土/二氧化鈦/二氧化硅/聚苯胺納米導(dǎo)電復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)