本發(fā)明一種采用無(wú)壓浸滲制備高體積分?jǐn)?shù)SiC顆粒增強(qiáng)Cu基
復(fù)合材料的方法,包括:步驟1,制備多孔碳化硅陶瓷框架;制備偏鎢酸銨溶膠;步驟2,將偏鎢酸銨溶膠浸入到多孔碳化硅陶瓷框架中,然后干燥并在空氣氣氛中煅燒,然后在氫氣氣氛下煅燒還原,得到含有鎢涂層的多孔碳化硅陶瓷框架;步驟3,將含有鎢涂層的多孔碳化硅陶瓷框架和銅在加熱條件下進(jìn)行無(wú)壓浸滲,得到高體積分?jǐn)?shù)SiC顆粒增強(qiáng)Cu基復(fù)合材料。本發(fā)明在多孔碳化硅陶瓷框架的孔道表面形成鎢涂層,鎢與銅的潤(rùn)濕角小于10°,所以鎢涂層改善了碳化硅、氧化硅與銅的潤(rùn)濕性,從而保證能夠利用無(wú)壓浸滲的方法得到高體積分?jǐn)?shù)SiC顆粒增強(qiáng)Cu基復(fù)合材料。
聲明:
“采用無(wú)壓浸滲制備高體積分?jǐn)?shù)SiC顆粒增強(qiáng)Cu基復(fù)合材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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