本發(fā)明涉及一種基于SISB復(fù)合材料的相變存儲(chǔ)器單元。SISB是一種復(fù)合材料,它既具備半導(dǎo)體特性,又具有相變特性,在電信號(hào)作用下材料具備在高、低電阻間的可逆轉(zhuǎn)換能力。當(dāng)SISB中的硅含量較高(SI含量大于百分之五十原子比)時(shí),SISB材料為一種N型半導(dǎo)體;而當(dāng)SISB中的硅含量較低(SI含量小于百分之三十原子比)時(shí),SISB材料為一種相變材料,以作為相變存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)介質(zhì)。本發(fā)明采用N型的SISB半導(dǎo)體與P型硅形成二極管結(jié)構(gòu),并采用較低硅含量的SISB相變材料作為存儲(chǔ)介質(zhì),形成1D1R結(jié)構(gòu)(一個(gè)二極管和一個(gè)電阻),從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)功能。