本申請(qǐng)涉及導(dǎo)電薄膜
復(fù)合材料。本公開內(nèi)容的實(shí)施例涉及薄導(dǎo)電復(fù)合材料,例如生物傳感器電極,其含有聚合物膜基材和鄰近基材設(shè)置的導(dǎo)電層。導(dǎo)電層包括氪和導(dǎo)電材料。導(dǎo)電層具有不大于約150納米的平均厚度。導(dǎo)電層具有不大于約3.0的標(biāo)準(zhǔn)化厚度(t/λ)。此外,該復(fù)合材料具有不大于約97.077t?1.071ohm/sq的方塊電阻,其中t代表以納米計(jì)的導(dǎo)電層的厚度。
聲明:
“導(dǎo)電薄膜復(fù)合材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)